пн-пт 10:00 - 19:00; сб-вс 10:00 - 18:00
M. Новослободская, ул. Селезнёвская д. 11Б офис 508
Тип DDR3 Объем одного модуля 2 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. CL 11 Особенности Unregistered
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 204-pin SO DIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 288-pin UDIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR4 объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 16-18-18-35 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
Объем: 4096 МБ; Частота: 1600МГц; Латентность: CL11; Тайминги: 11-11-11; Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin; Тип поставки: Ret
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Напряжение питания: 1.5 В
